10月15日，“中国光谷”经过微X公众号发布信息叫作，武汉太紫微光电科技有限机构（以下简叫作“太紫微机构”）推出的T150 A光刻胶制品，已经过半导体工艺量产验证，实现配方全自主设计，有望开创国内半导体光刻制造新局面。
据介绍，太紫微机构的这款光刻胶制品对标国际头部企业主流KrF光刻胶系列。相较于被业内叫作之为“妖胶”的国外同系列制品UV1610，T150 A在光刻工艺中表现出的极限分辨率达到120nm，且工艺宽容度更大，稳定性更高，坚膜后烘留膜率优秀，其对后道刻蚀工艺表现更为友好，经过验证发掘T150 A中密集图形经过刻蚀，下层介质的侧壁垂直度表现优异。
众所周知，光刻胶是半导体芯片制造过程中所必须的关键材料。因为日前光刻机揭发光源一共有六种，分别是紫外全谱（300～450nm）、 G 线（436nm）、 I 线（365nm）、深紫外（DUV，包含 248nm 和 193nm）和极紫外（EUV），相对应于各揭发波长的光刻胶亦应运而生，对应分别为，g 线光刻胶、i 线光刻胶、KrF光刻胶、 ArF光刻胶、EUV光刻胶。
从市场占有率来看，全世界光刻胶市场重点被日本和美国厂商占据。按照 TOK 和 Fujifilm 2020年的数据表示：
g/i ：东京应化占比 25.2%，陶氏杜邦占比 19.1%，住友化学占比 15.7%；
KrF：东京应化占比 31.4%，信越化学占比 21.9%，合成橡胶占比 20.9%，陶氏杜邦占比 10.9%；
ArF：合成橡胶（JSR）占比24.9%，信越化学占比 21.8%，住友化学占比 16.8%，东京应化占比15.8%；
EUV：东京应化占比51.8%，另一合成橡胶（JSR）亦有不小的份额。
虽然近年来，随着国产半导体制造业务发展，国产光刻胶厂商亦取得了有些突破，但是在中高端光刻胶市场仍是相对较弱。详细来讲，低端的中g线/i线光刻胶自给率约为20%，KrF光刻胶自给率不足5%，而高端的ArF光刻胶亦是近两年才有所突破，例如彤程新材、南大光电的ArF光刻胶都已有对外供货。至于更高端的EUV光刻胶，因为美国的阻挠，国内日前没法进口EUV光刻机，因此呢国产EUV光刻胶的研发自然亦无从谈起。
资料表示，太紫微机构成立于2024年5月，由华中科技大学武汉光电国家科研中心团队创立。团队安身于关键光刻胶底层技术开发，在电子化学品行业深耕二十余载。
企业负责人、英国皇家化学会会员、华中科技大学教授朱明强暗示：“以原材料的研发为起点，最后得到拥有自主知识产权的配方技术，这只是个起始，咱们团队还会发展一系列应用于区别场景下的KrF与ArF光刻胶，为国内关联产业带来更加多惊喜。”
△太紫微核心开发团队成员（前排左一为朱明强教授）
太紫微机构致力于半导体专用高端电子化学品材料的研发，并以新技术路线为半导体制造开辟新型先进光刻制造技术，同期为材料的分析与验证供给最全面的手段。
“无论是从国内半导体产业崛起的背景来看，还是从摩尔定律演变的规律展望将来，‘百家争鸣’的局面已形成，光刻行业还会有非常多新技术、新企业破茧成蝶，但持有科技创新的力量是存活下去的必要前提。”太紫微外聘专家顾问暗示。
编辑：芯智讯-浪客剑
